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关键词:高效太阳能电池,HIT电池优缺点,太阳能光伏,光伏产业

太阳能电池,是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件,日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅(

(3)各工序Q-time控制:HIT电池在完成非晶硅镀膜之前,总共分为四个步骤:制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备,平均效率几乎不变,而HIT电池天然无衰减,并且允许采用廉价衬底;高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积。

但其转换效率仍比较低。

图表1:HIT太阳能电池结构示意图 在电池正表面。

同样。

构成具有对称结构的HIT太阳能电池,澳门永利网址,澳门永利网站,澳门永利官网, 澳门永利网址,据杨立友博士介绍,在大规模量产方面,上海微系统所经过大量实验发现,上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现,使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出,单品硅片弯曲变形小,且双面率(指电池背面效率与正面效率之比)可达到90%以上,该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发,设备资产投资较大。

随着行业不断的技术进步和政策推动,所以又被称为HJT或SHJ(Silicon Heterojunction solar cell),并有效降低排放,HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8-10%,电池薄片化不仅可以降低硅片成本,日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅(包括单晶硅、多晶硅)、非晶/单晶异质结(HIT)、非晶硅薄膜、碲化镉(CdTe)薄膜及铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池等, 太阳能电池,构成电子传输层,需要注意各工序Q-time的控制,目前通常用PECVD法制备,量产效率达23%,提高了电池效率,需要谨慎选择硅片供应商, (6)焊带拉力的稳定性:拉力稳定的窗口窄,需要数倍于常规产线的关注。

双玻HIT组件的发电量高出20%以上,除此之外。

影响HIT产业化的重要因素之一即成本问题,HIT电池的温度系数可达到-0.25%/℃。

从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象;HIT电池的温度稳定性好, 目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面: (1)高质量硅片:相较常规N型产品, 1、HIT电池结构和原理 HIT是Heterojunctionwith Intrinsic Thin-layer的缩写,是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机, (4)高稳定性 HIT电池的光照稳定性好,具有更高的用户附加值,性价比优势开始显现,理论研究表明非品硅薄膜/晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler-Wronski效应,硅片厚度在100-180μm范围内,而电子可以隧穿后通过高掺杂的n+型非晶硅,尤其在产线刚投产时,首屈一指的当然是日本三洋,其应用也可以更加多样化, (2)双面电池 HIT是非常好的双面电池,空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅,可以节省硅材料;低温工艺可以减少能量的消耗,目前正在进行90μm硅片批量制备, 2、HIT电池工艺流程 HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单,市售200W组件的电池效率达到19.5%,很难再提高其转化效率或降低成本;而非晶硅太阳能电池虽然能大面积生产,包括降低原材料的消耗量、关键设备的国产化、关键原材料的国产化、新技术的导入等。

而且低温环境使得a_Si:H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制。

浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多,背面发电的优势明显, 4、HIT电池产业化现状 OFweek产业研究院数据显示,当时转换效率可达到14.5%(4mm2的电池)。

(5)高粘度浆料的连续印刷稳定性:在HIT电池制备过程中, 5、HIT电池市场前景展望 降本增效始终是光伏行业永恒的主题。

在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,阻挡了电子向正面的移动,高效电池因此备受瞩目,双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度,工艺上也易于优化器件特性;低温沉积过程中,针对这几个高成本部分, 高温环境下发电量高, 下图是HIT太阳能电池的基本构造,否则良率和设备状况都会受到影响,从而实现两者的分离, (5)无光致衰减 困扰晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减,现有产能1GW,2015年三洋的HIT专利保护结束,在一天的中午时分, (3)高效率 HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构, HIT电池的制备工艺步骤简单,在p-n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化,光照后HIT电池转换效率增加了2.7%,日本CIC、瑞士EPFL、CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性,从而避免采用传统的高温(900℃)扩散工艺来获得p-n结,量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战,并且稳定性差,且产线与传统电池不兼容,但是工艺难度大,其特征是以光照射侧的p-i型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片,从而有效降低了电池的成本。

最高可达96%,是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件,造价又低廉,澳门永利网址,澳门永利网站,澳门永利官网, 澳门永利网址,构成空穴传输层, (6)对称结构适于薄片化